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一、建設概況
2016年9月,合肥藍光聯合北京大學寬禁帶半導體研究中心、合肥新站高新區管委會,正式成立“彩虹藍光——北京大學寬禁帶半導體協同創新中心”。中心依托合肥彩虹藍光科技有限公司産業化平台,充分發揮北京大學寬禁帶半導體研究中心的研發優勢和人才優勢,重點開展第三代半導體産業發展相關的高新技術研發,加快推動科研成果的産業轉化。

二、研究方向
 重點開展半導體光電産業發展相關的高新技術研發,加快推動科研成果的産業轉化,是我國第三代半導體研發及産業化的重要創新平台。

三、研究成果
1、6吋Si襯底上GaN基功率材料和器件技術研發項目,實現了6吋Si襯底上GaN外延材料;申請發明專利6項,發表相關論文5篇。
2、深紫外光LED研發和産業化項目,開發了納米圖形襯底,並基于NPSS上生長AlN的材料,晶體質量國際領先;實現了深紫外LED全結構的開發。
3、開發了2吋碳化矽襯底GaN射頻功率器件外延材料。
4、順利完成6寸矽襯底氮化镓外延材料等三項新技術的中國電子科技委鑒定,鑒定專家組組長由國內資深院士鄭有炓院士擔任,其中6吋Si襯底材料技術,整體性能指標處于國內領先水平,部分指標達到國際先進水平。


 
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